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InGaAs盖革模式雪崩光电二极管
InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是短波红外单光子检测、计数的专专用器件。该探测器对0℃及以上温域的单光子探测性能具有针对性优化,可在显著降信低制冷要求的情况下满足量子保密通信、弱光探测等领域对高效率低暗计数单光子检测的技术需求,实现对 0.9~1.7um 波长的单光子检测,满足设备小型化以及不同工况环境下工作需求。

产品特点
- 背照式,多种封装形式及尺寸,3pin TO46 非制冷型器件,以及集成 TEC 制冷型6pin TO8、10pin mini 蝶形器件,FC/PC 单模尾纤
- 高探测效率(>20%@ 后脉冲概率低于2%)
- 满足高速门控模式(≥100MHz)及自由运行模式应用
- 高温低暗计数率( 最优<2kHz@20% 探测效率@0℃@100MHz)
应用领域
- 量子保密通信
- 弱光探测
- 激光测距
- 生物医疗
主要性能指标
