专芯致志，逐光成卓

10Gbps APD芯片为正照台面型结构，光敏面直径40μm，具有高带宽、高响应度、高可靠性等特点，满足10Gbps数据通信速率要求。

25Gbps APD芯片为正照台面型结应构用，领域光敏面直径16μm，具有高带宽、高响应度、高可靠性等特点，满足25Gbps数据通信速率要求。

25Gbps APD芯片为COC 结构，入光孔径100μm,具有高带宽、高响应度、高可靠性等特点，满足25Gbps数据通信速率要求。

10Gbps PIN芯片为正入光，入光孔径30μm、50μm，具有高带宽、高响应度、高可靠性等特点，满足10Gbps数据通信速率要求。

25Gbps PIN芯片为正入光，入光孔径20μm，具有高带宽、高响应度、高可靠性等特点，满足25Gbps数据通信速率要求。

InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波红外单光子检测、计数的专专用器件。该探测器对0℃及以上温域的单光子探测性能具有针对性优化，可在显著降信低制冷要求的情况下满足量子保密通信、弱光探测等领域对高效率低暗计数单光子检测的技术需求，实现对 0.9~1.7um 波长的单光子检测，满足设备小型化以及不同工况环境下工作需求。

高性能正照平面型结构的InGaAs APD 光电二极管芯片系列，具有高响应度、高增益、低暗电流、低噪声和高可靠性等特点，可用于人眼安全激光雷达等领域。可提供APD裸芯、TO封装，接受定制化服务开发。

InGaAs APD 四象限光电探测器芯片是一款近红外的高性能光电位置探测器芯片，光谱响应范围为0.9~1.7μm，具有高探测灵敏度、高空间分辨率以及快响应速度。

超低暗电流PD是一款正照式光电二极管芯片，工作波长优化在1654nm，导电衬底，一个电极，光敏面尺寸200um、250um。

InGaAs APD 16×1、8×1线阵探测器芯片针对激光雷达等应用领域设计，像元为430μm×150μm方形光敏面，像元间距70μm，各像元光电特性一致性高。

1654PD是一款正照式光电二极管芯片，工作中心波1654nm，导电衬底，四个电极，光敏面尺寸500um。