专芯致志，逐光成卓

2.5Gbps APD 芯片为正照平面型结构裸芯片，PN电极异面，具有高带宽、高响应度、高可靠性等特点。

10Gbps APD芯片为正照台面型结构，光敏面直径40μm，具有高带宽、高响应度、高可靠性等特点，满足10Gbps数据通信速率要求。

10Gbps PIN芯片为正入光，入光孔径30μm、50μm，具有高带宽、高响应度、高可靠性等特点，满足10Gbps数据通信速率要求。

25Gbps APD芯片为正照台面型结应构用，领域光敏面直径16μm，具有高带宽、高响应度、高可靠性等特点，满足25Gbps数据通信速率要求。

25Gbps APD芯片为COC 结构，入光孔径100μm,具有高带宽、高响应度、高可靠性等特点，满足25Gbps数据通信速率要求。

25Gbps PIN芯片为正入光，入光孔径20μm，具有高带宽、高响应度、高可靠性等特点，满足25Gbps数据通信速率要求。

50Gbps InGaAs APD芯片为COC结构，为背入光结构，具有高带宽、高响应度、高可靠性等特点。

50Gbps InGaAs PIN 是一款正照式光电二极管芯片，半绝缘衬底，共面电极，光敏面尺寸16um。

采用高性能25G APD、5PIN TO46底座和大球帽、50um多模尾纤封装，工作维度稳定。

采用高性能25G APD、7PIN TO46底座和非球帽、50um多模尾纤封装，工作维度稳定。

高性能正照平面型结构的InP/InGaAs APD 光电二极管芯片系列，具有高响应度、高增益、低暗电流、低噪声和高可靠性等特点，可用于人眼安全激光雷达等领域。可提供APD裸芯、TO封装，接受定制化服务开发。

高性能正照平面型结构的 InGaAs APD 光电二极管芯片系列，具有高响应度、高增益、低暗电流、低噪声和高可靠性等特点，可用于人眼安全激光雷达等领域。可提供 APD裸芯、TO 封装，接受定制化服务开发。产品符合Telcordia-GR-468-CORE 可靠性要求。

低电容大光敏面InGaAs PIN光电二极管系列芯片为正照平面型结构，提供Φ1mm、Φ2mm、Φ3mm、Φ5mm圆形光敏面和1.5mm×6mm方形光敏面多种型号，部分型号提供低电容版本，具有高带宽、高灵敏度、高可靠性等特点，可满足光电告警、激光雷达等领域的要求。

武汉光谷量子技术有限公司研发生产的高性能正照平面型结InGaAS APD光电二极管芯片系列，具有高响应度、高增益、低暗电流、低噪声和高可靠性等特点，可用于人眼安全激光雷达等领域， 可提供APD 裸芯、TO 封装，接受定制化服开发。

InGaAs APD 四象限光电探测器芯片是一款近红外的高性能光电位置探测器芯片，光谱响应范围为0.9~1.7μm，具有高探测灵敏度、高空间分辨率以及快响应速度，广泛用于对准检测，精密位移测量，震动检测，角度测量，制导等应用。该探测器封装形式为TO39类型。

1654nm PD是一款正照式光电二极管芯片，工作中心波长1654nm，导电衬底，四个电极，光敏面尺寸500um。

超低暗电流PD是一款正照式光电二极管芯片，工作波长优化在1654nm，导电衬底，一个电极，光敏面尺寸200um、250um。

1/2/3/5/10/16mm InGaAs PD是一款正照式光电二极管芯片，波长响应范围960nm~1700nm，导电衬底，四个电极，光敏面尺寸1/2/3/5/10/16mm。

Si PIN是一款光电二极管芯片，工作波长优化在905nm，导电衬底，四个电极，光敏面尺寸2000um。

InGaAs 单光子雪崩光电二极管（SPAD）是短波近红外单光子检测的专用器件，可满足量子通信保密、弱光探测等领域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9~1.7μm波长的单光子探测。